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ON代理商公司历史

安森美通过收购和强健的内部发展,已在数个市场和技术上取得领先地位,这些市场和技术推动了公司的增长,包括汽车、工业和云电源。2021年,为了更好地反映其广泛的技术组合、差异化的产品线和市场领导地位,安森美半导体将自己重新命名为安森美(onsemi)。

1999年7月4日
从摩托罗拉分拆出来

2000年4月28日
首次公开募股 (IPO)

2016年8月19日
收购Fairchild半导体

安富昌科技是安森美代理商虽然有了焕然一新的形象,但公司的根基仍是我们的基石。1999年,摩托罗拉将其标准产品半导体业务分拆为名为安森美半导体的独立公司。摩托罗拉一直是晶体管的一个先驱,尤其在商业应用方面。事实上,1969年7月,摩托罗拉的无线电应答器从月球向地球传输了那句脍炙人口的名言。摩托罗拉也开拓了汽车电子行业,从20世纪40年代警车上的第一个移动无线电到70年代的电动控制和半导体。

Fairchild半导体
然而,摩托罗拉并不是唯一为当今的安森美建基的行业先驱。2016年,安森美收购了Fairchild半导体,成为一家顶级的半导体制造商。Fairchild半导体成立于1957年,用硅而不是更常见的锗来制造晶体管。它还开创了平面工艺,可以更容易地制造晶体管,成本更低,性能和可靠性更高。这种平面工艺使Fairchild半导体在1960年开发了第一个商业上可行的集成电路,这成为我们今天享有的许多创新的基石。

“八叛逆”(Traitorous Eight) 开发了一种批量生产硅晶体管的方法

单片集成电路专利
业界首个可用作单片芯片的集成电路

美国专利局授予Robert Noyce一项专利
1961年4月25日,Noyce获 "集成电路 "专利

在过去的60年里,安森美和我们的先辈们一直在改变世界,我们的智能技术将继续建设一个更美好、更可持续的未来

我们的收购
Fairchild代理商和摩托罗拉是我们今天所知的技术行业的基石。当前存在的几乎每家技术公司都可以追溯它们的根基到这些先驱之一。不过,安森美不仅传承了行业巨头摩托罗拉和Fairchild半导体,还传承了Cherry Semiconductor、AMI Semiconductor、三洋半导体、Aptina Imaging Corporation、SensL Technologies和许多其他公司。

2000年
Cherry Semiconductor

2006年
俄勒冈州格雷舍姆LSI逻辑设计和制造厂

2007年
ADI稳压和热管理部

2008年
AMI Semiconductor

2008年
Catalyst Semiconductor

2009年
Pulsecore Semiconductor

2010年
California Micro Devices

2010年
Sound Design Technologies

2011年
三洋半导体

2011年
赛普拉斯图像传感器业务部

2014年
Aptina Imaging Corporation

2014年
Truesense Imaging, INC.

2015年
AXSEM

2016年
Fairdchild半导体

2017年
IBM毫米波先进传感器设计中心

2018年
SensL Technologies

2019年
Quantenna

安森美代理商主要产品

安森美代理商分立器件和功率模块
我们的产品阵容提供全系列高、中、低压功率分立器件以及先进的功率模块方案,包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC 混合模块、二极管、SiC 二极管和智能功率模块 (IPM)。

电源管理
安森美半导体代理商的创新电源管理产品提供更高的功率因数、增强的有源模式能效和更低待机模式功耗,为所有应用提供高能效方案。

信号调节及控制
从放大器和比较器到转接驱动器、微控制器、数据转换器 (ADC) 和数字电位器 (POT) 等各种产品。

电机控制
各类电机驱动器产品(有刷、无刷、步进、负载&继电器)以及集成电机控制系统,满足您的所有电机控制方案需求。

定制与专用标准产品 (ASSP)
提供创新的 SoC、SiP、ASIC、音频/视频 ASSP 和其他定制解决方案和代工服务,涵盖汽车、工业、医疗、航空航天和国防市场的各种应用。

ON代理商接口芯片
我们宽广阵容的接口技术提供更低的功耗、更小的尺寸并确保最高性能的信号传输。

ON代理商产品列表

MOSFET
用于各种应用的广泛的低、中、高压和双MOSFET产品组合。
功率模块
先进的电源模块, 包括 IGBT, MOSFET, SiC, Si/SiC 混合模块, 二极管, SiC 二极管, 和智能功率模块 (IPM).
碳化硅 (SiC)
支持宽禁带电源设计的完整元器件生态系统,包括SiC二极管、SiC MOSFET和SiC模块
保护MOSFET
各种低侧和高侧智能分立保护器件,提供同类最佳的浪涌电流管理。
整流器
标准和快恢复整流器,提供低功率损耗和高能效的理想性能特性。
肖特基二极管和肖特基整流器
低损耗和高电流肖特基整流器和二极管,非常适合用作整流器、逆变器和二极管。
音频晶体管
用于高功率音频电路应用的音频晶体管。
达林顿晶体管
用于通用放大器和低速开关应用的达林顿晶体管和晶体管对。
ESD保护二极管
专门设计用于提供 ESD 和浪涌保护的保护二极管和阵列。
通用的低VCE(sat)晶体管
宽广阵容的双极 NPN、PNP 和互补晶体管,包括低 VCE(sat) 晶体管。
数字晶体管(BRT)
集成偏置功能的偏置电阻晶体管(BRT),用于取代单个器件及其外部电阻偏置网络。
JFET
用于低噪声放大器和阻抗转换、模拟开关和斩波器应用的N沟道、P沟道和NPN极性JFET。
小信号开关二极管
高速、小信号开关二极管产品阵容,适用于不同应用的一般用途。
齐纳二极管
专为稳压电路设计,提供广泛的工作电压和额定功率。
RF晶体管
专为高频和通用放大器应用而设计的射频晶体管。
RF二极管
用于高频应用的射频二极管组合,包括PIN二极管、肖特基势垒二极管和可变电容。
毫米波集成电路 (雷达)
单片微波集成电路(MMIC)射频放大器和混频器,提供平稳和高增益特性。
IGBT
绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 在高性能电源转换应用中提供最高可靠性。

 

 

 


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